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Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET万芳

发布时间:2020-02-14 11:29:37 阅读: 来源:气井缓蚀剂厂家

Vishay发布其E系列器件的首颗500V高压MOSFET

Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超级结技术,为采用高性能平面技术的Vishay现有500V D系列器件补充了高效率产品。这些25A器件的导通电阻为145mΩ ,提供TO-220 (SiHP25N50E)、TO-247AC (SiHG25N50E)和细引线的TO-220 FULLPAK (SiHA25N50E)等多种封装选项,这些低外形封装适用于薄型消费类产品。

新的MOSFET具有57nC的超低栅极电荷,栅极电荷与到导通电阻乘积也较低,该参数是功率转换应用里MOSFET的优值系数(FOM)。与Vishay的600V和650V E系列器件类似,500V技术具有低导通电阻和优化的开关速度,能够提高功率因数校正(PFC)、双开关正激转换器和反激转换器应用里的效率和功率密度,

器件符合RoHS,可承受雪崩和开关模式里的高能脉冲,保证极限值通过100% UIS测试。

器件规格表:

器件ID (A) @ RDS(on) (m ) @ 10 VQG (nC) @ 10 V封装25 °C(最大值)(典型值)SiHG25N50E2514557TO-247ACSiHP25N50E2514557TO-220SiHA25N50E2514557细引线TO-220FULLPAK

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